Yüksek Hızlı CMOS PSRAM'leri

Alliance Memory bugün, 6.0 mm x 7.0 mm x 1.0 mm 48 top FPBGA ve 4.0 mm 4.0 mm x 1.0 mm 49 top FPBGA paketlerinde 8Mb'den 128Mb'ye kadar yoğunluklarda yeni bir yüksek hızlı CMOS takma SRAM (PSRAM) ailesini tanıttı. Cihazlar, tasarımcılara kablosuz, otomotiv, ağ ve endüstriyel uygulamalar için kullanımı kolay, düşük güç ve düşük maliyetli bellek çözümleri sunmak için SRAM'ların ve DRAM'lerin en çok istenen özelliklerini birleştiriyor.
SRAM arabirimleri ve yenileme gerektirmeyen çip yenileme devreleri ile yüksek yoğunluklu DRAM çekirdeği içeren, günümüzde piyasaya sürülen cihazlar, yüksek bant genişliğini ve SRAM'leri cep telefonları ve PDA'lar gibi portatif elektronikte değiştirmek için gerekli olan düşük gücü sağlar veya NOR Flash uygulamalarını patlatmak için eşlik eden çipler olarak hizmet eder. 
AS1C1M16PL-70BIN, AS1C1M16P-70BIN, AS1C2M16P-70BIN, AS1C512K16PL-70BIN ve AS1C512K16P-70BIN arayüzleri asenkron SRAM'larla uyumludur. AS1C4M16PL-70BIN ve AS1C8M16PL-70BIN CellularRAM PSRAM'lar, daha fazla bant genişliği için çoğullamalı bir adres/veri yoluna sahiptir. Cihazlar senkronize olmayan ve patlamalı çalışmayı destekler ve 4, 8, 16 veya 32 kelimelik okuma veya yazma patlama uzunluklarına veya sürekli patlamaya sahiptir. 
Endüstriyel sıcaklık aralıklarında mevcut olan PSRAM'ler, 70'lerin hızlı erişim hızları sunuyor ve 1,7V'dan 1,95V'a veya 3,6V'dan 3,3V'a kadar olan tek bir güç kaynağı ile çalışıyor. Ek güç tasarrufu özellikleri arasında otomatik sıcaklık telafisi otomatik yenileme (ATCSR), kısmi dizi kendini yenileme (PASR) ve derin güç kapatma (DPD) modu bulunur.