IGBT

Yemek pişirme ve diğer endüksiyon ısıtma bazlı uygulamalarda tasarımı basitleştiren ve parça sayısını azaltan yeni bir entegre IGBT Toshiba Electronic Europe tarafından pazara sunuldu. Gerilim rezonans redresör anahtarlama (voltage resonance inverter switching) için optimize edilen 1200V N-kanal çoğalan (enhancement) kip GT40QR21 IGBT ve ters bağlantılara karşı koruma sağlayan bir diyodu tek bir yongada tümleşik olarak içerir. Maksimum akım seviyesi 25°C’da 40A ve 100°C’da 35A’dir. IGBT 175°C’a kadar jonksiyon sıcaklarında çalışabilir. Yüksek hızlı anahtarlama için tasarlanan cihaz 40A akımda 0,2μs düşme süresi ve 0,4μs kapatma süresi sunar. Tümleşik diyodun ters bağlantı durumundan toparlanma süresi 0,6μs’dir. Tipik kolektör-emiter doyma anma gerilimi 1,9 V’tur (IC=40A). TO-3P(N), TO247 muadili muhafazada tedarik edilen IGBT 15,5x20,0x4,5mm ebada sahiptir. Maksimum jonksiyon-kasa termal direnç 0,65°C/W düzeyindedir.